NJVMJB41CT4G
型號(hào): NJVMJB41CT4G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
描述: ON Semiconductor 晶體管, NPN, 最大直流集電極電流 6 A, D2PAK (TO-263)封裝, 1 MHz, 3引腳
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?
平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?
拍明芯城的訂單如何跟蹤?
拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
|
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
1.5V @ 600mA, 6A
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躍遷頻率
|
3MHz
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功率 - 最大值
|
2W
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供應(yīng)商器件封裝
|
D2PAK-3
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
6A
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
100V
|
安裝類型
|
Surface Mount
|
電流 - 集電極截止(最大值)
|
700μA
|
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
15 @ 3A, 4V
|
安裝類型
|
表面貼裝
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
最大功率耗散
|
65W
|
最大發(fā)射極-基極電壓
|
5V
|
最低工作溫度
|
-65°C
|
引腳數(shù)目
|
3
|
最大工作頻率
|
1MHz
|
尺寸
|
10.29x11.05x4.83mm
|
最小直流電流增益
|
15
|
COO(CountryofOrigin)
|
MY
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
100V
|
最大直流集電極電流
|
6A
|
最大集電極-基極電壓
|
100V直流
|
封裝類型
|
D2PAK(TO-263)
|
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
1.5V直流
|
Pd-功率耗散
|
65W
|
直流電流增益hFE最大值
|
75at3Aat4V
|
集電極—射極飽和電壓
|
1.5V
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
6A
|
商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
100V
|
資格
|
AEC-Q101
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系列
|
MJB41C
|
子類別
|
Transistors
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
3MHz
|
產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
100V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
20at0.5Aat10V
|
工廠包裝數(shù)量
|
800
|
晶體管極性
|
NPN
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
|
配置
|
Single
|