恒捷供應(yīng)鏈
NSVBC858CLT1G
加入對比型號： NSVBC858CLT1G
類別： IGBT陣列
封裝： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
描述： ON Semiconductor 晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 100 mA, SOT-23封裝, 100 MHz, 3引腳
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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包裝
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Tape & Reel (TR)
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封裝外殼
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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系列
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-
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不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）
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650mV @ 5mA, 100mA
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躍遷頻率
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100MHz
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功率 - 最大值
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300mW
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供應(yīng)商器件封裝
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SOT-23
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
100mA
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
30V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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15nA (ICBO)
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不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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420 @ 2mA, 5V
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安裝類型
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表面貼裝
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每片芯片元件數(shù)目
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1
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最大功率耗散
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225mW
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汽車標(biāo)準(zhǔn)
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AEC-Q101
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最大發(fā)射極-基極電壓
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-5V
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最低工作溫度
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-55°C
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引腳數(shù)目
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3
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最大工作頻率
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100MHz
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尺寸
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3.04x2.64x1.11mm
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最小直流電流增益
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125
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
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最大集電極-發(fā)射極電壓
|
30V
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最大直流集電極電流
|
100mA
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最大集電極-基極電壓
|
-30V
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封裝類型
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SOT-23
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最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
-0.65V
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