NSS1C200MZ4T1G
型號(hào): NSS1C200MZ4T1G
類(lèi)別: IGBT陣列
封裝: TO-261-4, TO-261AA
描述: ON Semiconductor NSS1C200MZ4T1G雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) PNP SOT223 BIP POWER TRAN
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣(mài)盤(pán)信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-261-4, TO-261AA
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
220mV @ 200mA, 2A
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躍遷頻率
|
120MHz
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功率 - 最大值
|
800mW
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供應(yīng)商器件封裝
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SOT-223
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
2A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
100V
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安裝類(lèi)型
|
Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
100nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
120 @ 500mA, 2V
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Pd-功率耗散
|
2000mW
|
直流電流增益hFE最大值
|
150
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制造商
|
ONSemiconductor
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最小工作溫度
|
-55C
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最大直流電集電極電流
|
3A
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
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Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
140V
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資格
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AEC-Q101
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系列
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NSS1C200
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子類(lèi)別
|
Transistors
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
120MHz
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產(chǎn)品種類(lèi)
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
100V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
150
|
工廠(chǎng)包裝數(shù)量
|
1000
|
晶體管極性
|
PNP
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
7V
|