恒捷供應(yīng)鏈
NJVMJD50T4G
加入對比型號： NJVMJD50T4G
類別： IGBT陣列
封裝： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述： ONSemiconductorNJVMJD50T4G
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
包裝
|
Tape & Reel (TR)
|
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封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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系列
|
-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
|
1V @ 200mA, 1A
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躍遷頻率
|
10MHz
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功率 - 最大值
|
1.56W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
1A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
400V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
|
200μA
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
|
30 @ 300mA, 10V
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Pd-功率耗散
|
15W
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|
直流電流增益hFE最大值
|
150at0.3Aat10V
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|
集電極—射極飽和電壓
|
1V
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
2A
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商標
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Reel
|
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
|
SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
|
500V
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資格
|
AEC-Q101
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系列
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MJD50
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
10MHz
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產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
400V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
|
25at0.2Aat10V
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工廠包裝數(shù)量
|
2500
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晶體管極性
|
NPN
|
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
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配置
|
Single
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