恒捷供應(yīng)鏈
NJVMJD31CT4G
加入對(duì)比型號(hào)： NJVMJD31CT4G
類別： IGBT陣列
封裝： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述： ON Semiconductor NJVMJD31CT4G雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) BIP DPAK NPN 3A 100V TR
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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系列
|
-
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不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）
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1.2V @ 375mA, 3A
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躍遷頻率
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3MHz
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功率 - 最大值
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1.56W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
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3A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
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100V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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50μA
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不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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25 @ 1A, 4V
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Pd-功率耗散
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15 W
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資格
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AEC-Q101
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集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
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100 V
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系列
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MJD31
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子類別
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Transistors
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制造商
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ON Semiconductor
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
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最小工作溫度
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- 65 C
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封裝 / 箱體
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DPAK-3
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集電極連續(xù)電流
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3 A
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工廠包裝數(shù)量
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2500
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晶體管極性
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NPN
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商標(biāo)
|
ON Semiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
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+ 150 C
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安裝風(fēng)格
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Through Hole
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發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
|
5 V
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