NJVMJD122T4G
型號: NJVMJD122T4G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: ON Semiconductor 達(dá)林頓管, 8 A, 每片1芯片 NPN, Vce=100 V, HFE=100, 3引腳 DPAK (TO-252)封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
4V @ 8A, 80mA
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躍遷頻率
|
-
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功率 - 最大值
|
1.75W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
8A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
100V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
10μA
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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1000 @ 4A, 4V
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最大集電極-基極截止電流
|
10μA
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安裝類型
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表面貼裝
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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最大功率耗散
|
20W
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最大發(fā)射極-基極電壓
|
5V
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最低工作溫度
|
-65°C
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引腳數(shù)目
|
3
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最大基極-發(fā)射極飽和電壓
|
4.5V
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尺寸
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6.73x6.22x2.38mm
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最小直流電流增益
|
100
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
100V
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最大集電極-基極電壓
|
100V
|
封裝類型
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DPAK(TO-252)
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最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
4V
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資格
|
AEC-Q101
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零件號別名
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NJVMJD253T4G-VF01
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工廠包裝數(shù)量
|
2500
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商標(biāo)
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ONSemiconductor
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封裝
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Reel
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系列
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MJD122
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子類別
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Transistors
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制造商
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ONSemiconductor
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產(chǎn)品種類
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達(dá)林頓晶體管
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