恒捷供應鏈
NJVMJD32CG
加入對比型號： NJVMJD32CG
類別： IGBT陣列
封裝： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述： ONSemiconductorNJVMJD32CG
品牌官網： www.onsemi.com
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-
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| 參數 | 數值 |
|---|---|
|
包裝
|
Tube
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封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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系列
|
-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
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1.2V @ 375mA, 3A
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躍遷頻率
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3MHz
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功率 - 最大值
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1.56W
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供應商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
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3A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
100V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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50μA
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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10 @ 3A, 4V
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Pd-功率耗散
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15W
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集電極—射極飽和電壓
|
1.2V
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
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-65C
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最大直流電集電極電流
|
5A
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集電極連續(xù)電流
|
3A
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商標
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ONSemiconductor
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封裝
|
Tube
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
|
SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
|
-100V
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資格
|
AEC-Q101
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系列
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MJD32C
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產品fT
|
3MHz
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產品種類
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雙極晶體管-雙極結型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
-100V
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工廠包裝數量
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75
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晶體管極性
|
PNP
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
-5V
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配置
|
Single
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