NSS12501UW3T2G
型號: NSS12501UW3T2G
類別: IGBT陣列
封裝: 3-WDFN Exposed Pad
描述: ON Semiconductor 晶體管, NPN, 最大直流集電極電流 5 A, WDFN封裝, 100 MHz, 3引腳
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
|
3-WDFN Exposed Pad
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
120mV @ 400mA, 4A
|
躍遷頻率
|
150MHz
|
功率 - 最大值
|
875mW
|
供應商器件封裝
|
3-WDFN (2x2)
|
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
5A
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
12V
|
安裝類型
|
Surface Mount
|
電流 - 集電極截止(最大值)
|
100nA (ICBO)
|
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
200 @ 2A, 2V
|
安裝類型
|
表面貼裝
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
最大功率耗散
|
1.5W
|
最大發(fā)射極-基極電壓
|
6V
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
引腳數(shù)目
|
3
|
最大基極-發(fā)射極飽和電壓
|
0.9V
|
最大工作頻率
|
100MHz
|
尺寸
|
2x2x0.75mm
|
最小直流電流增益
|
200
|
COO(CountryofOrigin)
|
MY
|
防靜電標準認證
|
符合
|
ROHS標準
|
符合
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
12V
|
最大直流集電極電流
|
5A
|
最大集電極-基極電壓
|
12V直流
|
封裝類型
|
WDFN
|
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
0.12V
|
Pd-功率耗散
|
1500mW
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-55C
|
最大直流電集電極電流
|
5A
|
商標
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
12V
|
資格
|
AEC-Q101
|
系列
|
NSS12501UW3
|
子類別
|
Transistors
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
150MHz
|
產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
12V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
200
|
工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
晶體管極性
|
NPN
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
6V
|
配置
|
Single
|