NJVMJD41CT4G
型號(hào): NJVMJD41CT4G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: ON Semiconductor NJVMJD41CT4G雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) BIP NPN 6A 100V TR
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
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Tape & Reel (TR)
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封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
1.5V @ 600mA, 6A
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躍遷頻率
|
3MHz
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功率 - 最大值
|
1.75W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
6A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
100V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
50μA
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
15 @ 3A, 4V
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Pd-功率耗散
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1.75W
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直流電流增益hFE最大值
|
75
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零件號(hào)別名
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NJVMJD41CT4G-VF01
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集電極—射極飽和電壓
|
1.5V
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
|
-65C
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集電極連續(xù)電流
|
6A
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
|
100V
|
資格
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AEC-Q101
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系列
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MJD41C
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
3MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
100V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
15
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工廠包裝數(shù)量
|
2500
|
晶體管極性
|
NPN
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
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