ZTX696BSTZ
型號: ZTX696BSTZ
類別: IGBT陣列
封裝: E-Line-3, Formed Leads
描述: Diodes Incorporated ZTX696BSTZ雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) NPN Super E-Line
品牌官網(wǎng): www.diodes.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
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Tape & Box (TB)
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封裝外殼
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E-Line-3, Formed Leads
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系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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250mV @ 5mA, 200mA
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躍遷頻率
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70MHz
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功率 - 最大值
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1W
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供應商器件封裝
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E-Line (TO-92 compatible)
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
500mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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180V
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安裝類型
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Through Hole
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電流 - 集電極截止(最大值)
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100nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
150 @ 200mA, 5V
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Pd-功率耗散
|
1W
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直流電流增益hFE最大值
|
500at100mAat5V
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集電極—射極飽和電壓
|
0.25V
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制造商
|
DiodesIncorporated
|
最小工作溫度
|
-55C
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最大直流電集電極電流
|
0.5A
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集電極連續(xù)電流
|
0.5A
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商標
|
DiodesIncorporated
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封裝
|
Bulk
|
最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
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ThroughHole
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集電極—基極電壓VCBO
|
180V
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系列
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ZTX6
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
70MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
180V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
|
500at100mAat5V,150at200mAat5V
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工廠包裝數(shù)量
|
2000
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晶體管極性
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NPN
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
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