NJVMJD44H11G
型號(hào): NJVMJD44H11G
類(lèi)別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: ONSemiconductorNJVMJD44H11G
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣(mài)盤(pán)信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
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Tube Alternate Packaging
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封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
1V @ 400mA, 8A
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躍遷頻率
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85MHz
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功率 - 最大值
|
1.75W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
8A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
80V
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安裝類(lèi)型
|
Surface Mount
|
電流 - 集電極截止(最大值)
|
1μA
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
40 @ 4A, 1V
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Pd-功率耗散
|
20W
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資格
|
AEC-Q101
|
直流電流增益hFE最大值
|
60
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系列
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MJD44H11
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集電極—射極飽和電壓
|
1V
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子類(lèi)別
|
Transistors
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制造商
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ONSemiconductor
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
85MHz
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產(chǎn)品種類(lèi)
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
80V
|
最小工作溫度
|
-55C
|
集電極連續(xù)電流
|
8A
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工廠包裝數(shù)量
|
75
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晶體管極性
|
NPN
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Tube
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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