恒捷供應(yīng)鏈
NJVMJB42CT4G
加入對比型號： NJVMJB42CT4G
類別： IGBT陣列
封裝： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
描述： ONSemiconductorNJVMJB42CT4G
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
包裝
|
Tape & Reel (TR)
|
|
封裝外殼
|
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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系列
|
-
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不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）
|
1.5V @ 600mA, 6A
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躍遷頻率
|
3MHz
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功率 - 最大值
|
2W
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供應(yīng)商器件封裝
|
D2PAK
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
6A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
100V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
|
700μA
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不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
|
15 @ 3A, 4V
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Pd-功率耗散
|
65W
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直流電流增益hFE最大值
|
75
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集電極—射極飽和電壓
|
-1.5V
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
-10A
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集電極連續(xù)電流
|
-6A
|
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Reel
|
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
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集電極—基極電壓VCBO
|
-100V
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資格
|
AEC-Q101
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系列
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MJB42C
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
3MHz
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產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
-100V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
|
15
|
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工廠包裝數(shù)量
|
800
|
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晶體管極性
|
PNP
|
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
-5V
|
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配置
|
Single
|