恒捷供應(yīng)鏈
NJVMJB45H11T4G
加入對(duì)比型號(hào)： NJVMJB45H11T4G
類別： IGBT陣列
封裝： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
描述： ONSemiconductorNJVMJB45H11T4G
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
包裝
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Tape & Reel (TR)
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封裝外殼
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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系列
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-
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不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）
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1V @ 400mA, 8A
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躍遷頻率
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40MHz
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功率 - 最大值
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2W
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供應(yīng)商器件封裝
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D2PAK
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
10A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
80V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
|
10μA
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不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
|
40 @ 4A, 1V
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Pd-功率耗散
|
50W
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集電極—射極飽和電壓
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-1V
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
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-55C
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最大直流電集電極電流
|
-20A
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集電極連續(xù)電流
|
-10A
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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資格
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AEC-Q101
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系列
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MJB45H11
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
40MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
-80V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
|
60at-2Aat-1V
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工廠包裝數(shù)量
|
800
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晶體管極性
|
PNP
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
-5V
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配置
|
Single
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