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JAN2N3419

型號： JAN2N3419

類別： IGBT陣列

封裝： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

描述： Microsemi Jan2N3419雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) Power BJT

品牌官網(wǎng)： www.microsemi.com

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參數(shù) 數(shù)值
包裝
Bulk
封裝外殼
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
系列
Military, MIL-PRF-19500/393
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
500mV @ 200mA, 2A
躍遷頻率
-
功率 - 最大值
1W
供應(yīng)商器件封裝
TO-39
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
3A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
80V
安裝類型
Through Hole
電流 - 集電極截止（最大值）
5μA
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
20 @ 1A, 2V
工廠包裝數(shù)量
1
商標(biāo)
Microsemi
封裝
Bulk
子類別
Transistors
制造商
Microsemi
產(chǎn)品種類
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)