JAN2N2906AUB
型號(hào): JAN2N2906AUB
類別: IGBT陣列
封裝: 4-SMD, No Lead
描述: Microsemi JAN2N2906AUB雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) Small-Signal BJT
品牌官網(wǎng): www.microsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
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包裝
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Bulk
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封裝外殼
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4-SMD, No Lead
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系列
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Military, MIL-PRF-19500/291
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
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1.6V @ 50mA, 500mA
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躍遷頻率
|
-
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功率 - 最大值
|
500mW
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供應(yīng)商器件封裝
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UB
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
600mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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60V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
50nA
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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40 @ 150mA, 10V
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工廠包裝數(shù)量
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1
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商標(biāo)
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Microsemi
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封裝
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Waffle
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子類別
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Transistors
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制造商
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Microsemi
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
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