恒捷供應(yīng)鏈
JANTX2N3019
加入對比型號： JANTX2N3019
類別： IGBT陣列
封裝： TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
描述： Microsemi Jantx2N3019雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) Small-Signal BJT
品牌官網(wǎng)： www.microsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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包裝
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Bulk
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封裝外殼
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TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
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系列
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Military, MIL-PRF-19500/391
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
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500mV @ 50mA, 500mA
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躍遷頻率
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-
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功率 - 最大值
|
800mW
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供應(yīng)商器件封裝
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TO-5
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
1A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
80V
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安裝類型
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Through Hole
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電流 - 集電極截止（最大值）
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10μA (ICBO)
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
|
50 @ 500mA, 10V
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Pd-功率耗散
|
800mW
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集電極—射極飽和電壓
|
200mV
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子類別
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Transistors
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制造商
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Microsemi
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
80V
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最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
1A
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工廠包裝數(shù)量
|
1
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晶體管極性
|
NPN
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商標
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Microsemi
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封裝
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Tray
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
7V
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最大工作溫度
|
+200C
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安裝風(fēng)格
|
ThroughHole
|
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集電極—基極電壓VCBO
|
140V
|