JAN2N3507
型號(hào): JAN2N3507
類別: IGBT陣列
封裝: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
描述: Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
品牌官網(wǎng): www.microsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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平臺(tái)商品來源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?
平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?
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拍明芯城的發(fā)票如何開具?
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
|
Bulk
|
封裝外殼
|
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
|
系列
|
Military, MIL-PRF-19500/349
|
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
1.5V @ 250mA, 2.5A
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躍遷頻率
|
-
|
功率 - 最大值
|
1W
|
供應(yīng)商器件封裝
|
TO-39 (TO-205AD)
|
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
3A
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
50V
|
安裝類型
|
Through Hole
|
電流 - 集電極截止(最大值)
|
-
|
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
30 @ 1.5A, 2V
|
PartStatus
|
Active
|
Automotive
|
No
|
HTS
|
8541.10.00.50
|
SupplierTemperatureGrade
|
Military
|
PCBchanged
|
3
|
ECCN(US)
|
EAR99
|
MaximumBaseEmitterSaturationVo...
|
1.3@150mA@1.5A|1@50mA@500mA|2@250mA@2.5A
|
StandardPackageName
|
TO-205-AF
|
MaximumCollector-EmitterSatura...
|
1.5@250mA@2.5A|1@150mA@1.5A|0.5@50mA@500mA
|
NumberofElementsperChip
|
1
|
Configuration
|
Single
|
PackageHeight
|
6.6(Max)
|
PinCount
|
3
|
Mounting
|
ThroughHole
|
MaximumDCCollectorCurrent(A)
|
3
|
SupplierPackage
|
TO-39
|
EURoHS
|
NotCompliant
|
MaximumCollectorBaseVoltage(V)
|
80
|
MinimumDCCurrentGain
|
40@1.5A@2V|30@2.5A@3V|50@500mA@1V|25@3A@5V
|
MaximumPowerDissipation(mW)
|
1000
|
MaximumOperatingTemperature(°C...
|
200
|
MaximumEmitterBaseVoltage(V)
|
5
|
Material
|
Si
|
LeadShape
|
ThroughHole
|
Diameter
|
9.4(Max)
|
ProductCategory
|
BipolarPower
|
Packaging
|
Bag
|
MinimumOperatingTemperature(°C...
|
-65
|
Type
|
NPN
|
MaximumCollector-EmitterVoltag...
|
50
|