JANTXV2N3998
型號: JANTXV2N3998
類別: IGBT陣列
封裝: TO-210AA, TO-59-4, Stud
描述: Microsemi Jantxv2N3998雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) Power BJT
品牌官網: www.microsemi.com
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參數 | 數值 |
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包裝
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Bulk
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封裝外殼
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TO-210AA, TO-59-4, Stud
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系列
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Military, MIL-PRF-19500/374
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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2V @ 500mA, 5A
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躍遷頻率
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-
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功率 - 最大值
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2W
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供應商器件封裝
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TO-59
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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10A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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80V
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安裝類型
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Chassis, Stud Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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10μA
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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40 @ 1A, 2V
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工廠包裝數量
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1
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商標
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Microsemi
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封裝
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Tray
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子類別
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Transistors
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制造商
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Microsemi
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產品種類
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雙極晶體管-雙極結型晶體管(BJT)
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