UNR412200A
型號: UNR412200A
類別: IGBT陣列
封裝: 3-SIP
描述: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
品牌官網(wǎng): na.industrial.panasonic.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
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包裝
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Cut Tape (CT)
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封裝外殼
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3-SIP
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系列
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-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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250mV @ 5mA, 100mA
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躍遷頻率
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200MHz
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功率 - 最大值
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300mW
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安裝類型
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Through Hole
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電流 - 集電極截止(最大值)
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1μA
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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50 @ 100mA, 10V
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電阻器 - 基底(R1)(歐姆)
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4.7k
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電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆)
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4.7k
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供應商器件封裝
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NS-B1
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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500mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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50V
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