恒捷供應(yīng)鏈
NUS5530MNR2G
加入對比型號： NUS5530MNR2G
類別： IGBT陣列
封裝： 8-VDFN Exposed Pad
描述： ON Semiconductor 晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 2 A, DFN封裝, 雙, 100 MHz, 8引腳
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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包裝
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Cut Tape (CT) Alternate Packaging
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封裝外殼
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8-VDFN Exposed Pad
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系列
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-
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供應(yīng)商器件封裝
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8-DFN-EP (3.3x3.3)
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電壓 - 額定
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35V PNP, 20V P-Channel
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安裝類型
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Surface Mount
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安裝類型
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表面貼裝
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每片芯片元件數(shù)目
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2
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最大功率耗散
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2.5W
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最大發(fā)射極-基極電壓
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-5V
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最低工作溫度
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-55°C
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引腳數(shù)目
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8
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最大基極-發(fā)射極飽和電壓
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-0.85V
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最大工作頻率
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100MHz
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尺寸
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3.3x3.3x0.95mm
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最小直流電流增益
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100
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
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符合
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
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符合
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最大集電極-發(fā)射極電壓
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35V
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最大直流集電極電流
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2A
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最大集電極-基極電壓
|
-55V
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封裝類型
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DFN
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最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
-0.1V
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