NTD2955T4G
型號(hào): NTD2955T4G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3
描述: ON Semiconductor NTD2955T4GMOSFET -60V -12A P-Channel
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
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電壓電源
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60V
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工作溫度
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–55 °C to +175 °C
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封裝外殼
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系列
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Pd-功率耗散
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55W
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Vgs-柵極-源極電壓
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-10V
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Id-連續(xù)漏極電流
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12A
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制造商
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ONSemiconductor
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類型
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MOSFET
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最小工作溫度
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-55C
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Qg-柵極電荷
|
15nC
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商標(biāo)
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ONSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
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+175C
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安裝風(fēng)格
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SMD/SMT
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Vds-漏源極擊穿電壓
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60V
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系列
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NTD2955
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子類別
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MOSFETs
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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工廠包裝數(shù)量
|
2500
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晶體管極性
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P-Channel
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Vgsth-柵源極閾值電壓
|
2V
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通道數(shù)量
|
1Channel
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RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
180mOhms
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