NDS356AP
型號(hào): NDS356AP
類(lèi)別: IGBT陣列
封裝: SuperSOT-3
描述: MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
品牌官網(wǎng): www.fairchildsemi.com
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- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
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參數(shù) | 數(shù)值 |
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包裝
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電壓電源
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30V
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工作溫度
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–55 °C to +150 °C
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封裝外殼
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系列
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FET型
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P-Channel
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RDS(ON)(最大值)@標(biāo)識(shí),柵極電壓
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200mOhm@1.3A,10V
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安裝類(lèi)型
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SurfaceMount
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功率耗散(最大)
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500mW(Ta)
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VGS(TH)(最大)@標(biāo)識(shí)
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2.5V@250A
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漏極至源極電壓(Vdss)
|
30V
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包
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SuperSOT-3
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工作溫度
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-55C~150C(TJ)
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