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NTJD4401NT1G

型號: NTJD4401NT1G

類別: IGBT陣列

封裝: SC-88-6

描述: ON Semiconductor MOSFET, N溝道 雙, Vds=20 V, 910 mA, 6引腳 SC-88封裝

品牌官網: www.onsemi.com

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平臺購物流程是怎樣的?

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參數 數值
工作溫度
–55 °C to +150 °C
正向二極管電壓
1.1V
典型輸入電容值@Vds
33pF@20V
最大功率耗散
550mW
最低工作溫度
-55°C
引腳數目
6
典型柵極電荷@Vgs
1.3nC@4.5V
COO(CountryofOrigin)
CN
封裝類型
SC-88
典型關斷延遲時間
0.78ns
最大柵閾值電壓
1.5V
安裝類型
表面貼裝
每片芯片元件數目
2
汽車標準
AEC-Q101
尺寸
2.2x1.35x1mm
最大漏源電阻值
440mΩ
最大柵源電壓
±12V
防靜電標準認證
符合
ROHS標準
符合
最大漏源電壓
20V
類別
小信號
最小柵閾值電壓
0.6V
Pd-功率耗散
0.55W
Vgs-柵極-源極電壓
4.5V
Id-連續(xù)漏極電流
910mA
制造商
ONSemiconductor
類型
MOSFET
最小工作溫度
-55C
Qg-柵極電荷
1.3nC
商標
ONSemiconductor
封裝
Reel
最大工作溫度
+150C
安裝風格
SMD/SMT
Vds-漏源極擊穿電壓
20V
系列
NTJD4401N
子類別
MOSFETs
產品種類
MOSFET
工廠包裝數量
3000
晶體管極性
N-Channel
Vgsth-柵源極閾值電壓
600mV
通道數量
2Channel
產品
MOSFETSmallSignal
RdsOn-漏源導通電阻
375mOhms