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NTE318

型號： NTE318

描述： Description: The NTE318 is a 12.5V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for HF communications. This device utilizes improved metallization systems to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions. Features: ? Designed for HF military and commercial equipment 40W minimum with greater than 10.0dB gain ? Withstands severe mismatch under operating conditions ? Low inductance Stripline Package

品牌官網(wǎng)： www.nteinc.com

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常見問題
參數(shù)

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參數(shù)	數(shù)值
Case/Package	2.2 °C/W
Mounting	Screw
Operating Temperature	-65 to 200 °C
Type	NPN
Maximum Transition Frequency	200(Min) MHz
Material	Si
Minimum DC Current Gain Range	2 to 30
Number of Elements per Chip	1
Configuration	Single
Maximum Collector Base Voltage	36 V
Maximum DC Collector Current R...	2 to 8 A
Maximum Collector Emitter Volt...	<20 V
Maximum Emitter Base Voltage	4 V
Output Power	47(Min) W
Typical Power Gain	10(Min) dB
Maximum DC Collector Current	6 A
Pin_Count	4
Dimension	24.77 x 12.1 x 6.6 mm
Minimum DC Current Gain	10@250mA@5 V
Maximum Power Dissipation	80000 mW
Maximum Collector Emitter Volt...	18 V
Maximum Collector Cut-Off Curr...	1000000 nA
lead free status	pb free

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NTE318