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NTE16003

型號(hào)： NTE16003

類(lèi)別： IGBT陣列

描述： Description: The NTE16003 is an RF power transistor in a TO60 type case that employs a multi emitter electrode design. This feature together with a heavily diffused base matrix located between the individual emitters results in high RF current handling capability, high power gain, low base resistance, and low output capacitance. This device is intended for Class A, B, or C amplifier, oscillator, or frequency multiplier circuits and is specifically designed for operation in the VHF–UHF region.

品牌官網(wǎng)： www.nteinc.com

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參數(shù) 數(shù)值
ECCN
EAR99
Lifecyle
Active
Description
Trans RF BJT NPN 40V 1.5A 11600mW 4-Pin TO-60
Taxonomy
Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT
Introduction Date
2001-04-04 00
EU RoHS
No
HTSUSA
8541290095
EU RoHS Version
2011/65/EU
Part Number Code
View Code
Supplier Cage Code
7T184