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NTE226

型號： NTE226

類別： IGBT陣列

封裝： TO-66

描述： Description: The NTE226 is a Germanium PNP transistor in a TO66 type package designed for high–fidelity, high–power output applications. Absolute Maximum Ratings: Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . 35V Collector–Emitter Voltage (RBE = 100?), VCER . . . . . . . . . .. . . . . . 35V Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .? . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . 12W Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . +85°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . .? . –55° to +85°C

品牌官網(wǎng)： www.nteinc.com

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參數(shù) 數(shù)值
封裝
TO-66
極性
PNP
集電極最大允許電流
2A
擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)
35V
安裝方式
Through Hole
ECCN
EAR99
Lifecyle
Active
Description
Trans GP BJT PNP 35V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66
Taxonomy
Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Introduction Date
2000-06-14 00
EU RoHS
No
HTSUSA
8541290095
EU RoHS Version
2011/65/EU
Part Number Code
View Code
Supplier Cage Code
7T184