CSD17579Q3AT
型號: CSD17579Q3AT
品牌: 德州儀器
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Texas Instruments MOSFET, NexFET 系列, N溝道, Si, Vds=30 V, 11 A, 8引腳 VSCONP封裝
品牌官網(wǎng): www.ti.com
- 賣盤信息
- 參數(shù)
- 常見問題
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認證
|
符合
|
COO(CountryofOrigin)
|
PH
|
最大漏源電阻值
|
0.0142Ω
|
封裝類型
|
VSCONP
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安裝類型
|
表面貼裝
|
引腳數(shù)目
|
8
|
類別
|
功率MOSFET
|
尺寸
|
3.5x3.5x0.9mm
|
正向二極管電壓
|
1V
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
系列
|
NexFET
|
典型柵極電荷@Vgs
|
5.3nC@4.5V
|
典型輸入電容值@Vds
|
768pF@15V
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ECCN
|
EAR99
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Lifecyle
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Active
|
Description
|
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
|
Taxonomy
|
Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
|
Country Of Origins
|
China
|
Introduction Date
|
2014-09-29 00
|
EU RoHS
|
Yes
|
HTSUSA
|
8541290095
|
EU RoHS Version
|
2011/65/EU, 2015/863
|
Part Number Code
|
View Code
|
Supplier Cage Code
|
01295
|
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