SIHG64N65E-GE3
型號: SIHG64N65E-GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay MOSFET, E Series 系列, N溝道, Si, Vds=650 V, 64 A, 3引腳 TO-247AC封裝
品牌官網(wǎng): www.vishay.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標準
|
符合
|
防靜電標準認證
|
符合
|
COO(CountryofOrigin)
|
CN
|
最大漏源電壓
|
650V
|
最大漏源電阻值
|
47mΩ
|
最小柵閾值電壓
|
2V
|
最大柵源電壓
|
-30V、+30V
|
封裝類型
|
TO-247AC
|
安裝類型
|
通孔
|
引腳數(shù)目
|
3
|
類別
|
功率MOSFET
|
最大功率耗散
|
520W
|
正向二極管電壓
|
1.2V
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典型輸入電容值@Vds
|
7497pF@100V
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典型柵極電荷@Vgs
|
239nC@10V
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
典型關(guān)斷延遲時間
|
213ns
|
系列
|
ESeries
|