SIR412DP-T1-GE3
型號(hào): SIR412DP-T1-GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay MOSFET, N溝道, Si, Vds=25 V, 13.4 A, 8引腳 PowerPAK SO封裝
品牌官網(wǎng): www.vishay.com
- 賣盤信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?
平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?
拍明芯城的訂單如何跟蹤?
拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?
拍明芯城的發(fā)票如何開(kāi)具?
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
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CN
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最大漏源電壓
|
25V
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最大漏源電阻值
|
15mΩ
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最小柵閾值電壓
|
1.2V
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最大柵源電壓
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-20V、+20V
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封裝類型
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PowerPAKSO
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安裝類型
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表面貼裝
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引腳數(shù)目
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8
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
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15.6W
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最低工作溫度
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-55°C
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
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13ns
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尺寸
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6.25x5.26x1.12mm
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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典型輸入電容值@Vds
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600pF@10V
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典型柵極電荷@Vgs
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10.7nC@10V
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