SQ4431EY-T1_GE3
型號: SQ4431EY-T1_GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay MOSFET, SQ Rugged 系列, P溝道, Si, Vds=30 V, 6.2 A, 8引腳 SOIC封裝
品牌官網: www.vishay.com
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參數 | 數值 |
---|---|
ROHS標準
|
符合
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防靜電標準認證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
|
CN
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最大漏源電壓
|
30V
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最大漏源電阻值
|
52mΩ
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最小柵閾值電壓
|
1.5V
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最大柵源電壓
|
-20V、+20V
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封裝類型
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SOIC
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安裝類型
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表面貼裝
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引腳數目
|
8
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最大功率耗散
|
6W
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最低工作溫度
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-55°C
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每片芯片元件數目
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1
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典型輸入電容值@Vds
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1010pF@-15V
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典型柵極電荷@Vgs
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25nC@10V
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典型關斷延遲時間
|
33ns
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尺寸
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5x4x1.55mm
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系列
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SQRugged
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