SIR788DP-T1-GE3
型號: SIR788DP-T1-GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay MOSFET, SkyFET 系列, N溝道, Si, Vds=30 V, 60 A, 8引腳 PowerPAK SO封裝
品牌官網(wǎng): www.vishay.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標準
|
符合
|
防靜電標準認證
|
符合
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最大漏源電壓
|
30V
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最大漏源電阻值
|
4.3mΩ
|
最小柵閾值電壓
|
1V
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最大柵源電壓
|
-20V、+20V
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封裝類型
|
PowerPAKSO
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安裝類型
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表面貼裝
|
引腳數(shù)目
|
8
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最大功率耗散
|
48W
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尺寸
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6.25x5.26x1.12mm
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最低工作溫度
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-55°C
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典型柵極電荷@Vgs
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50nC@10V
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典型輸入電容值@Vds
|
2873pF@15V
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典型關斷延遲時間
|
29ns
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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系列
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SkyFET
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