恒捷供應(yīng)鏈
NVD5890NLT4G
加入對比型號： NVD5890NLT4G
類別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor MOSFET, N溝道, Si, Vds=40 V, 123 A, 3引腳 DPAK (TO-252)封裝
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
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-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
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MY
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最大漏源電壓
|
40V
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最大漏源電阻值
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5.5mΩ
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最大柵閾值電壓
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2.5V
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最大柵源電壓
|
-20V、+20V
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封裝類型
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DPAK(TO-252)
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安裝類型
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表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
3
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
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107W
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尺寸
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6.73x6.22x2.38mm
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最低工作溫度
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-55°C
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
38ns
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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典型輸入電容值@Vds
|
4760pF@25V
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典型柵極電荷@Vgs
|
84nC@10V
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資格
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AEC-Q101
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Id-連續(xù)漏極電流
|
123A
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
40V
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系列
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NVD5890NL
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子類別
|
MOSFETs
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制造商
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ONSemiconductor
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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工廠包裝數(shù)量
|
2500
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晶體管極性
|
N-Channel
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Reel
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通道數(shù)量
|
1Channel
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
3.7mOhms
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配置
|
Single
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