恒捷供應(yīng)鏈
FDMD84100
加入對(duì)比型號(hào)： FDMD84100
類(lèi)別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor MOSFET, PowerTrench 系列, N溝道 雙, Si, Vds=100 V, 21 A, 8引腳 PQFN封裝
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣(mài)盤(pán)信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的？
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎？
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎？
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平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
|
US
|
|
最大漏源電壓
|
100V
|
|
最大漏源電阻值
|
38mΩ
|
|
最小柵閾值電壓
|
2V
|
|
最大柵源電壓
|
-20V、+20V
|
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封裝類(lèi)型
|
PQFN
|
|
安裝類(lèi)型
|
表面貼裝
|
|
引腳數(shù)目
|
8
|
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類(lèi)別
|
功率MOSFET
|
|
最大功率耗散
|
23W
|
|
典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
14ns
|
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典型輸入電容值@Vds
|
734pF@50V
|
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尺寸
|
5.1x3.4x0.75mm
|
|
典型柵極電荷@Vgs
|
11nC@10V
|
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
|
每片芯片元件數(shù)目
|
2
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|
系列
|
PowerTrench
|
|
Pd-功率耗散
|
23W
|
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
20V
|
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Id-連續(xù)漏極電流
|
21A
|
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制造商
|
ONSemiconductor
|
|
最小工作溫度
|
-55C
|
|
商標(biāo)名
|
PowerTrench
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Qg-柵極電荷
|
11nC
|
|
商標(biāo)
|
ONSemiconductor/Fairchild
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封裝
|
Reel
|
|
最大工作溫度
|
+150C
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|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
100V
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子類(lèi)別
|
MOSFETs
|
|
產(chǎn)品種類(lèi)
|
MOSFET
|
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工廠(chǎng)包裝數(shù)量
|
3000
|
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
|
Vgsth-柵源極閾值電壓
|
3.1V
|
|
通道數(shù)量
|
2Channel
|
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
32mOhms
|