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NDF08N60ZG
加入對比型號： NDF08N60ZG
類別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor MOSFET, N溝道, Si, Vds=600 V, 7.5 A, 3引腳 TO-220FP封裝
品牌官網： www.onsemi.com
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- 參數
-
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| 參數 | 數值 |
|---|---|
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ROHS標準
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符合
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防靜電標準認證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
|
US
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最大漏源電壓
|
600V
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最大漏源電阻值
|
950mΩ
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最大柵閾值電壓
|
4.5V
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最大柵源電壓
|
+30V
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封裝類型
|
TO-220FP
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安裝類型
|
通孔
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引腳數目
|
3
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
|
139W
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尺寸
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10.63x4.9x16.12mm
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典型關斷延遲時間
|
36ns
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每片芯片元件數目
|
1
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最低工作溫度
|
-55°C
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典型柵極電荷@Vgs
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10V時，39常閉
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典型輸入電容值@Vds
|
1140pF@25V
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ECCN
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EAR99
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Lifecyle
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Obsolete
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Description
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Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Taxonomy
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Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
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Country Of Origins
|
Republic of Korea
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Introduction Date
|
2010-06-10 00
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EU RoHS
|
Yes with Exemption
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HTSUSA
|
8541290095
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EU RoHS Version
|
2011/65/EU, 2015/863
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Part Number Code
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View Code
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Supplier Cage Code
|
5V1P1
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Pd-功率耗散
|
35 W
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正向跨導 - 最小值
|
6.3 S
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Id-連續(xù)漏極電流
|
7.5 A
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Rds On-漏源導通電阻
|
950 mOhms
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制造商
|
ON Semiconductor
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最小工作溫度
|
- 55 C
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Qg-柵極電荷
|
39 nC
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商標
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ON Semiconductor
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封裝
|
Tube
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最大工作溫度
|
+ 150 C
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安裝風格
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Through Hole
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Vgs - 柵極-源極電壓
|
30 V
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
600 V
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子類別
|
MOSFETs
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產品種類
|
MOSFET
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封裝 / 箱體
|
TO-220-3
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工廠包裝數量
|
50
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晶體管極性
|
N-Channel
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Vgs th-柵源極閾值電壓
|
4.5 V
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通道數量
|
1 Channel
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配置
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Single
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