FDB045AN08A0-F085
型號(hào): FDB045AN08A0-F085
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ON Semiconductor MOSFET, PowerTrench 系列, N溝道, Si, Vds=75 V, 80 A, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
最大漏源電壓
|
75V
|
最大漏源電阻值
|
11mΩ
|
最小柵閾值電壓
|
2V
|
最大柵源電壓
|
-20V、+20V
|
封裝類型
|
D2PAK(TO-263)
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安裝類型
|
表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
3
|
類別
|
功率MOSFET
|
最大功率耗散
|
310W
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
40ns
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系列
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FDB045AN08_F085
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尺寸
|
10.67x9.65x4.83mm
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
典型柵極電荷@Vgs
|
92nC@10V
|
典型輸入電容值@Vds
|
6600pF@25V
|
Pd-功率耗散
|
310W
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零件號(hào)別名
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FDB045AN08A0_F085
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
90A
|
制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
|
-55C
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor/Fairchild
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
|
+175C
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
75V
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子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
工廠包裝數(shù)量
|
800
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
3.9mOhms
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