恒捷供應(yīng)鏈
FCMT199N60
加入對(duì)比型號(hào)： FCMT199N60
類別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor MOSFET, SuperFET II 系列, N溝道, Si, Vds=600 V, 20 A, 4引腳 電源 88封裝
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
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KR
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最大漏源電壓
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600V
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最大漏源電阻值
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199mΩ
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最小柵閾值電壓
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2.5V
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最大柵源電壓
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-30V、+30V
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封裝類型
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電源88
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安裝類型
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表面貼裝
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引腳數(shù)目
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4
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最大功率耗散
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208W
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典型柵極電荷@Vgs
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57nC@10V
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尺寸
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8x8x1.05mm
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
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64ns
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典型輸入電容值@Vds
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2043pF@380V
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系列
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SuperFETII
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最低工作溫度
|
-55°C
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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Pd-功率耗散
|
208W
|
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Vgs-柵極-源極電壓
|
20V，30V
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Id-連續(xù)漏極電流
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20.2A
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
|
-50C
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商標(biāo)名
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SuperFETII
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Qg-柵極電荷
|
57nC
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor/Fairchild
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
600V
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子類別
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MOSFETs
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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工廠包裝數(shù)量
|
3000
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晶體管極性
|
N-Channel
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RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
199mOhms
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