NTP6410ANG
型號(hào): NTP6410ANG
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ON Semiconductor MOSFET, N溝道, Si, Vds=100 V, 76 A, 3引腳 TO-220封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
最大漏源電壓
|
100V
|
最大漏源電阻值
|
13mΩ
|
最大柵閾值電壓
|
4V
|
最大柵源電壓
|
-20V、+20V
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封裝類型
|
TO-220
|
安裝類型
|
通孔
|
引腳數(shù)目
|
3
|
類別
|
功率MOSFET
|
最大功率耗散
|
188W
|
尺寸
|
10.28x15.75x4.82mm
|
典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
120ns
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
典型柵極電荷@Vgs
|
120nC@10V
|
典型輸入電容值@Vds
|
4500pF@25V
|
Pd-功率耗散
|
188W
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
20V
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
76A
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-55C
|
Qg-柵極電荷
|
120nC
|
商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Tube
|
最大工作溫度
|
+175C
|
安裝風(fēng)格
|
ThroughHole
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
100V
|
系列
|
NTP6410AN
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子類別
|
MOSFETs
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
工廠包裝數(shù)量
|
50
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
Vgsth-柵源極閾值電壓
|
4V
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
11mOhms
|