SIR112DP-T1-RE3
型號(hào): SIR112DP-T1-RE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay Siliconix MOSFET, TrenchFET 系列, N溝道, Si, Vds=40 V, 133 A, 8引腳 SO-8封裝
品牌官網(wǎng): www.vishay.com/company/brands/siliconix/
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- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
不適用
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
|
CN
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最大漏源電壓
|
40V
|
最大漏源電阻值
|
2mΩ
|
最大柵閾值電壓
|
1.1V
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最小柵閾值電壓
|
2.4V
|
最大柵源電壓
|
-16V,+20V
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封裝類型
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SO-8
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安裝類型
|
表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
8
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
|
62.5W
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最低工作溫度
|
-55°C
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尺寸
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5.99x5x1.07mm
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正向二極管電壓
|
1.1V
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
34ns
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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典型柵極電荷@Vgs
|
59nC@10V
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系列
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TrenchFET
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典型輸入電容值@Vds
|
4270pF@20V
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