SIHF640L-GE3
型號(hào): SIHF640L-GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay MOSFET, N溝道, Si, Vds=200 V, 18 A, 3引腳 I2PAK (TO-262)封裝
品牌官網(wǎng): www.vishay.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
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CN
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最大漏源電壓
|
200V
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最大漏源電阻值
|
180mΩ
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最小柵閾值電壓
|
2V
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最大柵源電壓
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-20V、+20V
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封裝類型
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I2PAK(TO-262)
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安裝類型
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通孔
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引腳數(shù)目
|
3
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
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130W
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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最低工作溫度
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-55°C
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
45ns
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尺寸
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10.67x4.83x11.3mm
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典型輸入電容值@Vds
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1300pF@25V
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典型柵極電荷@Vgs
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70nC@10V
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