NTH027N65S3F-F155
型號: NTH027N65S3F-F155
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ON Semiconductor MOSFET, NTH027N65S3F 系列, N溝道, Vds=650 V, 75 A, 3引腳 TO-247封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準
|
符合
|
防靜電標(biāo)準認證
|
符合
|
最大漏源電壓
|
650V
|
最大漏源電阻值
|
27.4mΩ
|
最大柵閾值電壓
|
5V
|
最小柵閾值電壓
|
3V
|
最大柵源電壓
|
±30V
|
封裝類型
|
TO-247
|
安裝類型
|
通孔
|
引腳數(shù)目
|
3
|
類別
|
SuperFETIIIMOSFET
|
最大功率耗散
|
595W
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
典型關(guān)斷延遲時間
|
131ns
|
正向二極管電壓
|
1.3V
|
尺寸
|
15.87x4.82x20.82mm
|
系列
|
NTH027N65S3F
|
典型輸入電容值@Vds
|
7690pF@400V
|
典型柵極電荷@Vgs
|
259nC@10V
|
Pd-功率耗散
|
595 W
|
壽命周期
|
新產(chǎn)品:此制造商的新產(chǎn)品。
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
75 A
|
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
|
23 mOhms
|
制造商
|
ON Semiconductor
|
最小工作溫度
|
- 55 C
|
商標(biāo)名
|
SuperFET III
|
Qg-柵極電荷
|
259 nC
|
商標(biāo)
|
ON Semiconductor
|
封裝
|
Tube
|
最大工作溫度
|
+ 150 C
|
安裝風(fēng)格
|
Through Hole
|
Vgs - 柵極-源極電壓
|
30 V
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
650 V
|
子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
封裝 / 箱體
|
TO-247-3
|
工廠包裝數(shù)量
|
450
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
Vgs th-柵源極閾值電壓
|
3 V
|
通道數(shù)量
|
1 Channel
|