恒捷供應(yīng)鏈
NTMFS5832NLT1G
加入對比型號： NTMFS5832NLT1G
類別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor MOSFET, N溝道, Si, Vds=40 V, 110 A, 8引腳 SO-8FL封裝
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
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符合
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認證
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符合
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COO(CountryofOrigin)
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MY
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最大漏源電壓
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40V
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最大漏源電阻值
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6.5mΩ
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最大柵閾值電壓
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3V
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最大柵源電壓
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-20V、+20V
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封裝類型
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SO-8FL
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安裝類型
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表面貼裝
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引腳數(shù)目
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8
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
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96W
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典型關(guān)斷延遲時間
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32ns
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尺寸
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5.1x6.1x1.1mm
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典型輸入電容值@Vds
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2700pF@25V
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典型柵極電荷@Vgs
|
51nC@10V
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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最低工作溫度
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-55°C
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ECCN
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EAR99
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Lifecyle
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Active
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Description
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Trans MOSFET N-CH 40V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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Taxonomy
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Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
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Country Of Origins
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Malaysia
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Introduction Date
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2011-03-09 00
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EU RoHS
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Yes with Exemption
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HTSUSA
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8541290095
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EU RoHS Version
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2011/65/EU, 2015/863
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Part Number Code
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View Code
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Supplier Cage Code
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5V1P1
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Pd-功率耗散
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3.1W
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Id-連續(xù)漏極電流
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20A
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
40V
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系列
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NTMFS5832NL
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子類別
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MOSFETs
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制造商
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ONSemiconductor
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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Qg-柵極電荷
|
25nC
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工廠包裝數(shù)量
|
1500
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晶體管極性
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N-Channel
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
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Reel
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Vgsth-柵源極閾值電壓
|
3V
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
6.5mOhms
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