SIS110DN-T1-GE3
型號(hào): SIS110DN-T1-GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay Siliconix MOSFET, TrenchFET 系列, N溝道, Si, Vds=100 V, 14.2 A, 8引腳 1212封裝
品牌官網(wǎng): www.vishay.com/company/brands/siliconix/
- 賣盤信息
- 常見問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
不適用
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
|
CN
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最大漏源電壓
|
100V
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最大漏源電阻值
|
70mΩ
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最大柵閾值電壓
|
2V
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最小柵閾值電壓
|
4V
|
最大柵源電壓
|
±20V
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封裝類型
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1212
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安裝類型
|
表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
8
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
|
24W
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典型柵極電荷@Vgs
|
8.5nC@10V
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正向二極管電壓
|
1.2V
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尺寸
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3.15x3.15x1.07mm
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最低工作溫度
|
-55°C
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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系列
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TrenchFET
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典型輸入電容值@Vds
|
550pF@50V
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
14ns
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