QS8K21TR
型號: QS8K21TR
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ROHM MOSFET, QS8K21 系列, N溝道 雙, Vds=45 V, 4 A, 8引腳 TSMT封裝
品牌官網(wǎng): www.rohm.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
COO(CountryofOrigin)
|
JP
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最大漏源電壓
|
45V
|
最大漏源電阻值
|
75mΩ
|
最大柵閾值電壓
|
2.5V
|
最小柵閾值電壓
|
1V
|
最大柵源電壓
|
±20V
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封裝類型
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TSMT
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安裝類型
|
表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
8
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
|
1.5W
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典型輸入電容值@Vds
|
460pF@10V
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系列
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QS8K21
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典型柵極電荷@Vgs
|
5.4nC@10V
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典型關(guān)斷延遲時間
|
30ns
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正向二極管電壓
|
1.2V
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尺寸
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3.1x2.5x0.8mm
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每片芯片元件數(shù)目
|
2
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