SIHB28N60EF-GE3
型號: SIHB28N60EF-GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Vishay MOSFET, EF Series 系列, N溝道, Si, Vds=600 V, 28 A, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝
品牌官網(wǎng): www.vishay.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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COO(CountryofOrigin)
|
CN
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最大漏源電壓
|
600V
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最大漏源電阻值
|
0.123Ω
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最小柵閾值電壓
|
2V
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最大柵源電壓
|
-30V、+30V
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封裝類型
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D2PAK(TO-263)
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安裝類型
|
表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
3
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類別
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功率MOSFET
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最大功率耗散
|
250W
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最低工作溫度
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-55°C
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典型柵極電荷@Vgs
|
80nC@10V
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典型輸入電容值@Vds
|
2714pF@100V
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正向二極管電壓
|
1.2V
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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系列
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EFSeries
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尺寸
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10.67x9.65x4.83mm
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典型關(guān)斷延遲時間
|
82ns
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