NDT3055
型號(hào): NDT3055
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ON Semiconductor MOSFET, N溝道, Si, Vds=60 V, 4 A, 3針+焊片 SOT-223封裝
品牌官網(wǎng): www.fairchildsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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最大漏源電壓
|
60V
|
最大漏源電阻值
|
180mΩ
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最大柵源電壓
|
-20V、+20V
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封裝類型
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SOT-223
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安裝類型
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SurfaceMount
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引腳數(shù)目
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3+Tab
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最大功率耗散
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3W
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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典型柵極電荷@Vgs
|
9nC@10V
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典型輸入電容值@Vds
|
250pF@30V
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尺寸
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6.7x3.7x1.7mm
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正向二極管電壓
|
1.2V
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
37ns
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最低工作溫度
|
-65°C
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柵極漏極電荷 / Qgd(nC)
|
-
|
柵極源極電壓 / VGS(V)
|
20
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柵極源極電荷 / Qgs(nC)
|
-
|
最大耗散功率 / Pd(W)
|
-
|
輸出電容 / Coss(pF)
|
-
|
反向傳輸電容 / Crss(pF)
|
-
|
輸入電容 / Ciss(pF)
|
-
|
漏極電流 / ID(A) TA=25℃
|
4
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漏極電流 / ID(A) TA=70℃
|
-
|
結(jié)構(gòu) / Configuration
|
Single
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類型 / MosfetType
|
N
|
漏極源極導(dǎo)通電阻(mΩ) RDS Max at 10V
|
100
|
漏極源極導(dǎo)通電阻(mΩ) RDS Max at 4.5V
|
-
|
總柵極電荷 / Qg(nC)
|
9nC@VGS=10.0V
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柵極閾值電壓 / Vth Max(V)
|
2
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封裝 / Package
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SOT-223 4L
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漏極源極電壓 / VDS(V)
|
60
|
FET型
|
N-Channel
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RDS(ON)(最大值)@標(biāo)識(shí),柵極電壓
|
100mOhm@4A,10V
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功率耗散(最大)
|
3W(Ta)
|
VGS(TH)(最大)@標(biāo)識(shí)
|
4V@250A
|
漏極至源極電壓(Vdss)
|
60V
|
包
|
SOT-223-4
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工作溫度
|
-65C~150C(TJ)
|