NTHS5441T1G
型號: NTHS5441T1G
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ON Semiconductor MOSFET, P溝道, Si, Vds=20 V, 2.8 A, 8引腳 ChipFET封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標準
|
符合
|
防靜電標準認證
|
符合
|
COO(CountryofOrigin)
|
MY
|
最大漏源電壓
|
20V
|
最大漏源電阻值
|
83mΩ
|
最大柵閾值電壓
|
1.2V
|
最大柵源電壓
|
-12V、+12V
|
封裝類型
|
ChipFET
|
安裝類型
|
表面貼裝
|
引腳數(shù)目
|
8
|
類別
|
功率MOSFET
|
最大功率耗散
|
1.3W
|
典型關(guān)斷延遲時間
|
42ns
|
尺寸
|
3.1x1.7x1.1mm
|
典型輸入電容值@Vds
|
710pF@-5V
|
典型柵極電荷@Vgs
|
9.7nC@4.5V
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
ECCN
|
EAR99
|
Lifecyle
|
Active
|
Description
|
Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A 8-Pin Chip FET T/R
|
Taxonomy
|
Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
|
Country Of Origins
|
Malaysia
|
Introduction Date
|
2001-10-23 00
|
EU RoHS
|
Yes
|
HTSUSA
|
8541290095
|
EU RoHS Version
|
2011/65/EU, 2015/863
|
Part Number Code
|
View Code
|
Supplier Cage Code
|
5V1P1
|
Pd-功率耗散
|
1.3W
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
12V
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
5.3A
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
類型
|
MOSFET
|
最小工作溫度
|
-55C
|
商標
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風格
|
SMD/SMT
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
20V
|
系列
|
NTHS5441T1
|
子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
晶體管極性
|
P-Channel
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
產(chǎn)品
|
MOSFETSmallSignal
|
RdsOn-漏源導通電阻
|
46mOhms
|
配置
|
SingleHexDrain
|