恒捷供應鏈
SIRA62DP-T1-RE3
加入對比型號： SIRA62DP-T1-RE3
品牌： 威世/硅尼克斯
類別： FET/MOSFET 單體
描述： Vishay Siliconix MOSFET, TrenchFET 系列, N溝道, Si, Vds=30 V, 80 A, 8引腳 SO-8封裝
- 賣盤信息
- 參數
- 常見問題
| 參數 | 數值 |
|---|---|
|
ROHS標準
|
不適用
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|
防靜電標準認證
|
符合
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|
COO(CountryofOrigin)
|
CN
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最大漏源電阻值
|
1mΩ
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|
最大柵閾值電壓
|
1V
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|
最小柵閾值電壓
|
2.2V
|
|
最大柵源電壓
|
-12V、+16V
|
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封裝類型
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SO-8
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安裝類型
|
表面貼裝
|
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引腳數目
|
8
|
|
類別
|
功率MOSFET
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|
正向二極管電壓
|
1.1V
|
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尺寸
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5.99x5x1.07mm
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典型輸入電容值@Vds
|
4460pF@15V
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|
系列
|
TrenchFET
|
|
典型柵極電荷@Vgs
|
10V時，61.5常閉
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|
最低工作溫度
|
-55°C
|
|
每片芯片元件數目
|
1
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