CPH3351-TL-W
型號: CPH3351-TL-W
類別: FET/MOSFET 單體
描述: 晶體管, MOSFET, P溝道, -1.8 A, -60 V, 0.19 ohm, -10 V, -2.6 V
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
COO(CountryofOrigin)
|
CN
|
最大漏源電壓
|
60V
|
最大漏源電阻值
|
350mΩ
|
最大柵源電壓
|
±20V
|
封裝類型
|
SC-59
|
安裝類型
|
表面貼裝
|
引腳數(shù)目
|
3
|
類別
|
功率MOSFET
|
最大功率耗散
|
1W
|
典型柵極電荷@Vgs
|
6nC@10V
|
典型輸入電容值@Vds
|
262pF@-20V
|
正向二極管電壓
|
1.2V
|
尺寸
|
2.9x1.6x0.9mm
|
典型關(guān)斷延遲時間
|
34ns
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
晶體管封裝類型
|
SOT-23
|
晶體管極性
|
P-Channel
|
功耗Pd
|
1W
|
Vds
|
-60V
|
汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
閾值電壓Vgs
|
-2.6V
|
電壓@Rds測量
|
-10V
|
在電阻RDS(上)
|
0.19ohm
|
Id連續(xù)
|
-1.8A
|
針腳數(shù)
|
3引腳
|
Pd-功率耗散
|
1W
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
-4V
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
1.8A
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-55C
|
Qg-柵極電荷
|
6nC
|
商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
60V
|
系列
|
CPH3351
|
子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
Vgsth-柵源極閾值電壓
|
1.2V
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
350mOhms
|