FDG311N
型號(hào): FDG311N
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ON Semiconductor MOSFET, PowerTrench 系列, N溝道, Si, Vds=20 V, 1.9 A, 6引腳 SOT-363 (SC-70)封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?
平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?
拍明芯城的訂單如何跟蹤?
拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?
拍明芯城的發(fā)票如何開具?
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
COO(CountryofOrigin)
|
MY
|
最大漏源電壓
|
20V
|
最大漏源電阻值
|
170mΩ
|
最小柵閾值電壓
|
0.4V
|
最大柵源電壓
|
-8V、+8V
|
封裝類型
|
SOT-363(SC-70)
|
安裝類型
|
表面貼裝
|
引腳數(shù)目
|
6
|
類別
|
功率MOSFET
|
最大功率耗散
|
750mW
|
典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
10ns
|
系列
|
PowerTrench
|
典型柵極電荷@Vgs
|
3nC@4.5V
|
正向二極管電壓
|
1.2V
|
典型輸入電容值@Vds
|
270pF@10V
|
尺寸
|
2x1.25x1mm
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
Pd-功率耗散
|
750mW
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
8V
|
零件號(hào)別名
|
FDG311N_NL
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
1.9A
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
類型
|
MOSFET
|
最小工作溫度
|
-55C
|
商標(biāo)名
|
PowerTrench
|
商標(biāo)
|
ONSemiconductor/Fairchild
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
20V
|
子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
產(chǎn)品
|
MOSFETSmallSignal
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
115mOhms
|