恒捷供應(yīng)鏈
NTB25P06T4G
加入對比型號： NTB25P06T4G
類別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor MOSFET, P溝道, Si, Vds=60 V, 27 A, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
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-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
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COO(CountryofOrigin)
|
MY
|
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最大漏源電壓
|
60V
|
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最大漏源電阻值
|
82mΩ
|
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最大柵閾值電壓
|
4V
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|
最大柵源電壓
|
-20V、+20V
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封裝類型
|
D2PAK(TO-263)
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安裝類型
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表面貼裝
|
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引腳數(shù)目
|
3
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類別
|
功率MOSFET
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最大功率耗散
|
120W
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典型關(guān)斷延遲時間
|
43ns
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典型柵極電荷@Vgs
|
33nC@10V
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尺寸
|
10.29x9.65x4.83mm
|
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典型輸入電容值@Vds
|
1200pF@-25V
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|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
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|
最低工作溫度
|
-55°C
|
|
Pd-功率耗散
|
120W
|
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Vgs-柵極-源極電壓
|
15V
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Id-連續(xù)漏極電流
|
27.5A
|
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制造商
|
ONSemiconductor
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類型
|
MOSFET
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|
最小工作溫度
|
-55C
|
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Reel
|
|
最大工作溫度
|
+175C
|
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
60V
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系列
|
NTB25P06
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子類別
|
MOSFETs
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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工廠包裝數(shù)量
|
800
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|
晶體管極性
|
P-Channel
|
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
65mOhms
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配置
|
Single
|
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ECCN
|
EAR99
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Lifecyle
|
Active
|
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Description
|
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Taxonomy
|
Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
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Country Of Origins
|
Malaysia
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Introduction Date
|
2003-05-07 00
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EU RoHS
|
Yes with Exemption
|
|
HTSUSA
|
8541290095
|
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EU RoHS Version
|
2011/65/EU, 2015/863
|
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Part Number Code
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View Code
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Supplier Cage Code
|
5V1P1
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